FEI - SDB: Helios

Zobrazování, analýza a kontrola látky v měřítku nanometrů – objekty budoucího výzkumu a vývoje – jsou běžné s přístrojem Helios NanoLab™ řady 50 DualBeam™. SEM/FIB kombinuje technologie nejmodernějšího rastrovacího elektronového mikroskopu (SEM) a fokusovaného iontového svazku (FIB) s inovativní plynovou chemií, detektory a manipulátory. Vyznačuje se bezkonkurenčním rozlišením SEM , kvalitou obrazu a vynikajícím výkonem Tomahawk™ FIB, zobrazování, vymílání nebo příprava vzorků je rychlé a snadné pro řadu laboratorních, průmyslových, nebo výzkumných aplikací.

Přehled
Specifikace

	Helios NanoLab 450S Helios NanoLab 450S je ideálně vhodný pro S/TEM přípravu vzorků, zobrazování a analýzu s vysokým výkonem a vysokým rozlišením. Jeho výjimečný FlipStage a in-situ STEM detektor dokáže přepnout z přípravy vzorků na STEM zobrazení během několika sekund bez přerušení vakua nebo vystavení vzorku prostředí.
	Helios NanoLab 650 Helios NanoLab 650 se vyznačuje nejmodernějšími FEI technologiemi autoemisního SEM (FESEM) a fokusovaného iontového svazku (FIB) a jejich kombinovaným použitím. Jako jedenáctá platforma DualBeam FEI je konstruovaný pro novou oblast 2D a 3D charakterizaci s extrémně vysokým rozlišením (XHR), 3D Nano-obrábění a vyšší kvalitu přípravy vzorků.
	Helios NanoLab 1200 Helios NanoLab 1200 je platforma pro velké vzorky, až 300 mm polovodičové obvody. Technologie DualBeam pro polovodičové obvody nyní nabízí výhody přípravy polovodičových obvodů pro přípravu vzorků TEM, charakterizaci defektů a analýzu poruch.

Specifikace Helios NanoLab
	Helios NanoLab 450S	Helios NanoLab 650	Helios NanoLab 1200
Elektronová kolona	Elektronová kolona Elstar™ s technologií UC monochromátoru	Elektronová kolona Elstar™ s technologií UC monochromátoru	Elektronová kolona Elstar™ s technologií UC monochromátoru
Iontová kolona	Iontová kolona Tomahawk™	Iontová kolona Tomahawk™	Iontová kolona Sidewinder™
Optika mikroskopu
Elektronový zdroj	Schottkyho autoemisní zdroj s životností přes 1 rok
Iontový zdroj	kapalné kovové gallium s životností 1000 hodin
Napětí svazku	50 V - 30 kV pro SEM, 500 V - 30 kV pro FIB	20 V - 30 kV pro SEM, 500 V - 30 kV pro FIB	350 V - 30 kV pro SEM, 500 V - 30 kV pro FIB
STEM rozlišení	0,8 nm	0,8 nm	0,9 nm
SEM rozlišení - optimální pracovní vzdálenost	0,8 nm při 15 kV 0,8 nm při 2 kV 0,9 nm při 1 kV 1,5 nm při 200 V s decelerací svazku	0,8 nm při 15 kV 0,8 nm při 2 kV 0,9 nm při 1 kV SAT 1,5 nm při 200 V	0,9 nm při 15 kV 1,4 nm při 1 kV
SEM rozlišení - koincidenční pracovní vzdálenost	0,8 nm při 15 kV 0,9 nm při 5 kV 1,2 nm při 1 kV	0,8 nm při 15 kV SAT 0,9 nm při 5 kV 1,2 nm při 1 kV	1,0 nm při 15 kV 1,6 nm při 5 kV 2,5 nm při 1 kV
FIB rozlišení - koincidenční pracovní vzdálenost	4,0 nm při 30 kV s preferovanou statistickou metodou 2,5 nm při 30 kV se selektivní metodou okrajů	4,0 nm při 30 kV s preferovanou statistickou metodou 2,5 nm při 30 kV se selektivní metodou okrajů	5,0 nm při 30 kV
Proud svazku	E svazek: 26 nA a méně I svazek: 1,5 pA - 65 nA	E svazek: 0,8 pA - 26 nA I svazek: 0,1 pA - 65 nA	E svazek: 22 nA a méně I svazek: 1.5 pA - 20 nA 15 polohový pásek clon
Vakuum v komoře	< 2,6 e^-6 mBar
Stolek vzorku	Všech 5 os motorizovaných.
Stolek vzorku	Stolek FlipStage s in-situ STEM detektorem a extraktorem vzorku Omniprobe	Stolek FlipStage s in-situ STEM detektorem a extraktorem vzorku Omniprobe	Stolek FlipStage s in-situ STEM detektorem a extraktorem vzorku Omniprobe
Posuny	X, Y = 100 mm, všech 5 os motorizovaných piezoelektricky	X, Y = 150 mm piezoelektricky Z = 10 mm motoricky	X, Y = 300 mm piezoelektricky, ostatní osy motoricky
Maximální průměr vzorků	80 mm s úplnou rotací, větší vzorky možné s omezenou rotací	150 mm s úplnou rotací, větší vzorky možné s omezenou rotací	300 mm
Ovládání systému	32-bitové grafické uživatelské rozhraní Windows® s integrovaným ovládáním SEM, FIB a GIS, režimy simultánního vymílání a zobrazování, klávesnice, optická myš
Ovládání systému	Tři širokoúhlé 24" LCD monitory
Standardní technické vybavení	Koncept grafického uživatelského rozhraní "Beam per quad"
	Simultánní vymílání a zobrazování SPI™
	Depozice a vymílání: linií, čtyřstěnů, otevřených čtyřstěnů, polygonů, kružnic, řezů a čištění řezů
	Model založený na současném a importovaném obrazu
	Přímé importování BMP souboru pro 3D vymílání
Digitální procesor obrazu	prodleva: 0,025 - 25 000 µs
	rozlišení zobrazení až do 6144 × 4096 pixelů
	typ souborů: TIFF (8, 16 nebo 24 bitů), BMP nebo JPEG
	zobrazení v jednom rámu nebo ve 4 kvadrantech
	průměrování nebo integrace 256 snímků
Dokumentace	pracovní příručka v angličtině a v češtině na CD
Dokumentace	on-line pomoc
Volitelné položky systému	plynová chemie + injektory (GIS)
	Software	AutoFIB™, iFast, Maps™, AutoTEM™,AutoSlice&View", EBS3™, EDS3™, Knights CAD Navigation, 3D reconstruction software
	Hardware	STEM detektor, EDS, WDS, EBSP analýza, extrakce vzorku Omniprobe™
Požadavky na instalaci	napájecí napětí: 230V (+ 6%, - 10%), frekvence: 50 nebo 60 Hz (± 1%), příkon: < 3.0 kVA pro základní mikroskop
	teplota prostředí: 20°C ± 3°C, relativní vlhkost pod 80 %, rozptýlené magnetické pole střídavého proudu: < 200 nT asynchronní, < 600 nT synchronní
	hlučnost: < 60 dB
	suchý dusík
	stlačený vzduch 4-6 barů - čistý, suchý a bez oleje
	chladič systému
	šířka dveří: 120 cm
	hmotnost pultu kolony 950 kg

Malé systémy DualBeam

Duální zařízení FIB (Dual Beam) obsahují vedle kolony s iontovým zdrojem také kolonu s elektronovým zdrojem

Helios NanoLab™ DualBeam™